晶圓壓膜機的壓膜流程

　　涂布第一層聚合物薄膜(Polymer Layer ) ，以加強芯片的鈍化層( Passivation ) ，起到應(yīng)力緩沖的作用。目前*常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亞胺( Photo-sensitive Polyimide ) ，簡稱PI，是一種負性膠。

　　早期的WLP選用BCB ( Benzocyclobutene,苯并環(huán)丁烯)作為重布線的聚合物薄膜，但受制于低機械性能(低斷裂伸長率和拉伸強度)和高工藝成本(需要打底粘合層adhesion promoter ) ，促使材料商開發(fā)PI和PBO ( Polybenzoxazole，聚苯并嗯唑)。

　　涂布第二層Polymer，使圓片表面平坦化并保護RDL層。第二層Polymer經(jīng)過光刻后開出新焊區(qū)的位置?？谧詈笠坏澜饘賹邮荱BM ( Under Bump　Metalization，球下金屬層)，采用和RDL—樣的工藝流程制作。

　　植球。順應(yīng)無鉛化環(huán)保的要求，目前應(yīng)用在WLP的焊料球都是錫銀銅合金。焊料球的直徑一般為

　　250 m。為了保證焊膏和焊料球都準確定位在對應(yīng)的UBM上，就要使用掩模板。焊料球通過掩模板的開孔被放置于UBM 上，最后將植球后的硅片推入回流爐中回流，焊料球經(jīng)回流融化與UBM形成良好的浸潤結(jié)合。

   而以上的流程正式我們ELT真空壓膜機的關(guān)鍵功能所在。